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供應產品
| 圖片 | 標 題 | 更新時間 |
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156 X156 太陽能單晶硅片 項目標準生長方式CZ導電類型P摻雜劑硼晶向〈100〉1.0邊長1560.5mm直徑2000.5mm厚度20020m形狀準方形電阻率1-3Ω.cm少子壽命 |
2011-02-25 |
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125 X 125 單晶硅片 項目標準生長方式CZ導電類型P摻雜劑硼晶向〈100〉1.0邊長1250.5mm直徑1500.5mm厚度20020m形狀準方形電阻率1-3Ω.cm少子壽命 |
2011-02-25 |
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156 X156 多晶硅片 項目標準導電類型P摻雜劑硼邊長1560.5mm形狀方形電阻率0.5-3Ω.cm少子壽命2s氧含量11018atoms/cm3碳含量81017atoms/cm3翹曲 |
2011-02-25 |
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