日前，美國能源部(DOE)宣布維利安半導體設備有限公司(Varian Semiconductor Equipment Associates)獲得了SunShot計劃的資助，該公司隨后公布了能源部480萬美元經費的用途，并詳細介紹了其正在進行的研究開發。

目前，常見的太陽能電池由于正面電極遮擋陽光，導致了效率降低。而交錯背接觸(IBC)太陽能電池的金屬電極都位于電池的背面，正面的受光面積變大，從而可以吸收更多太陽能。維利安公司稱由于IBC太陽能電池效率更高，其單位面積的輸出功率也相應更大，這種電池設計可以降低組件成本，減少系統開支，提高發電功率。

維利安公司表示，使用傳統工藝生產IBC電池成本較高，這限制了IBC電池的大規模應用。維利安公司計劃在這個研發項目中采用離子注入工藝，將IBC電池的生產步驟縮減30%到40%，從而降低其制造成本。維利安公司稱，離子注入工藝還可以降低生產差異，簡化操作步驟，減少電池的破損率和制作周期，從而提高產量。該公司強調，使用離子注入工藝生產IBC電池不但可以獲得更高的效率，還可以達到比現有正面電極技術更低的每瓦生產成本。

維利安公司負責商業開發的副總裁保羅?沙利文(Dr. Paul Sullivan)博士表示，“我們很榮幸成為SunShot計劃的資助對象，維利安是其中唯一一家從事硅基太陽能電池生產的公司。這些獎金將用于我們的技術研發，確保先進高效的IBC電池結構投入生產，這將大大簡化制造工藝，從而將太陽能電池板的生產成本降到最低。”

Suniva公司日前宣布其使用離子注入技術生產的太陽能電池效率達到19%，而其正是維利安公司的客戶之一。維利安相信其領先的技術將為公司帶來豐厚的回報，2011年公司收入預計在2000萬到3000萬美元之間。