京瓷2012年9月4日宣布，該公司在日本獲得了采用“三柵電極構造”的太陽能電池模塊相關專利。據(jù)該公司介紹，日本國內市場上流通的結晶硅型太陽能電池模塊中，采用三柵電極構造的產(chǎn)品達到6成左右。今后，該公司將討論對采用該專利相應電極構造的企業(yè)采取警告等措施。不過，目前還未具體確定將要警告的企業(yè)。另外，該公司還在海外申請了該專利。

　　三柵電極構造是指在結晶硅型太陽能電池單元的表面形成3條主柵線（bus bar）電極的構造，與原來采用兩條主柵線電極的構造相比，可在增大采光面積的同時降低電極電阻，因此受到越來越多的采用。京瓷從2004年開始量產(chǎn)三柵電極構造的太陽能電池模塊。另外，三菱電機還推出了擁有4條主柵線電極的結晶硅型太陽能電池產(chǎn)品。

　　京瓷此次在日本獲得專利的專利號為“4953562”，申請日期為2004年6月10日。于2005年12月22日公開，2012年3月23日正式被授予專利權。該專利的權利要求范圍包括：（1）有3條主柵線電極、（2）主柵線電極的寬度為0.5～2mm、（3）細柵線（finger）電極的寬度為0.05～0.1mm、（4）主柵線中有一條配置在電池單元中央，等等。

　　對于京瓷的專利，日本國內使用三柵電極的太陽能電池廠商認為，“并未觸犯其專利”。另外，海外太陽能電池廠商也表示，“嚴格適用該專利的話，可能會給經(jīng)營帶來嚴重影響。希望能夠寬大對待那些為太陽能電池業(yè)界的健康發(fā)展做出貢獻的廠商”。

　　京瓷此項專利權利要求范圍的全部內容如下。

　　【要求1】
　　具備以下特點的太陽能電池模塊：
　　在透光性面板和背面保護材料之間配備通過內部引線以電氣方式連接的多塊板狀太陽能電池片，并以填充材料填充其間隙的太陽能電池模塊；
　　上述太陽能電池片擁有半導體基板、位于該半導體基板受光面的受光面電極（包括用來收集電流的3條正面主柵線電極以及與垂直于這些主柵線的多條正面細柵線電極），以及位于該半導體基板背光面的用來收集電流的3條背面主柵線電極；
　　多塊太陽能電池片之間，通過內部引線將一塊太陽能電池片的正面主柵線電極與相鄰太陽能電池片的背面主柵線電極連接在一起；
　　正面主柵線電極的寬度為0.5mm以上2mm以下，正面細柵線電極的寬度為0.05mm以上0.1mm以下；
　　正面主柵線電極與背面主柵線電極分別位于半導體基板的兩面，3條背面主柵線電極配置在3條正面主柵線電極正下方的位置；
　　在3條正面主柵線電極中，有1條位于半導體基板的基板中心線上；
　　相鄰的正面主柵線電極經(jīng)由正面細柵線電極以電氣方式互相連接。

　　【要求2】
　　上述正面細柵線電極在不經(jīng)由焊錫的情況下與上述填充材料接觸的、要求1中描述的太陽能電池模塊。

　　【要求3】
　　上述正面細柵線電極的寬度為0.06mm以上0.09mm以下的、要求1或要求2中描述的太陽能電池模塊。

　　【要求4】
　　上述太陽能電池片的受光面上形成有薄膜電阻為60Ω／□以上300Ω／□以下的逆導電型擴散層的、要求1或要求3中任一項所描述的太陽能電池模塊。（記者：河合基伸，《日經(jīng)電子》）