晶盛機電(300316)今日的公告,公司在多項單晶爐的研發項目上出現突破進展。據悉,晶盛機電研制的直拉區熔法(簡稱“CFZ法”)晶體新型專用單晶爐,與用戶天津環歐取得重要進展。天津環歐在公司研制的CFZ法單晶爐上,使用其自有的工藝技術,成功拉制出多顆高效太陽能用晶體,比傳統設備拉晶速度提高了35%,月產能較傳統設備提高近25%,晶棒成本下降40%以上。該晶體棒材已在區熔爐上得到應用驗證。公司指出,該新型設備的成功研制大大降低了晶體生長綜合成本,進一步推進了天津環歐的CFZ高光電轉換效率的區熔硅單晶光伏電池材料生產項目。
另外,晶盛機電天津環歐聯合承擔的國家科技重大專項《區熔硅單晶片產業化技術與國產設備研制》之“8英寸區熔硅單晶爐國產設備研制”課題的區熔硅單晶爐也取得突破性進展,成功拉出8英寸氣相摻雜單晶硅,也是目前國產區熔設備上拉制出的尺寸最大的氣摻區熔單晶棒。
晶盛機電表示,相比于傳統的中子照射區熔硅單晶棒,采用氣相摻雜技術拉制的區熔硅單晶棒解決了中子輻照單晶硅生產周期長、成本高、及晶體中照損傷的不利因素,可降低生產成本20%~30%,在IGBT大功率器件領域具有非常好的應用前景。此項重大進展表明公司的8英寸區熔硅單晶爐已具備產業化基礎,并預計將在2013年開始實現少量銷售。
另外,晶盛機電天津環歐聯合承擔的國家科技重大專項《區熔硅單晶片產業化技術與國產設備研制》之“8英寸區熔硅單晶爐國產設備研制”課題的區熔硅單晶爐也取得突破性進展,成功拉出8英寸氣相摻雜單晶硅,也是目前國產區熔設備上拉制出的尺寸最大的氣摻區熔單晶棒。
晶盛機電表示,相比于傳統的中子照射區熔硅單晶棒,采用氣相摻雜技術拉制的區熔硅單晶棒解決了中子輻照單晶硅生產周期長、成本高、及晶體中照損傷的不利因素,可降低生產成本20%~30%,在IGBT大功率器件領域具有非常好的應用前景。此項重大進展表明公司的8英寸區熔硅單晶爐已具備產業化基礎,并預計將在2013年開始實現少量銷售。