碳化矽晶體主要迎向高科技市場(chǎng)中的客戶。典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括混合電動(dòng)力與電動(dòng)車、空調(diào)系統(tǒng)、LED 應(yīng)用、光伏用直流/交流轉(zhuǎn)換器等高性能電子產(chǎn)品。碳化矽材料的主要優(yōu)勢(shì)在于具有巨大的節(jié)能潛力，較傳統(tǒng)的矽元件可節(jié)能多達(dá)40%。除此之外，其未來(lái)在于為半導(dǎo)體產(chǎn)??業(yè)帶來(lái)全新的發(fā)展前景，因?yàn)樵摦a(chǎn)品還可在高溫和1萬(wàn)伏以上高壓條件下使用；這種產(chǎn)品的發(fā)展?jié)摿h(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)目前所使用的矽產(chǎn)品。

模組化結(jié)構(gòu)和高度自動(dòng)化

創(chuàng)新型矽晶化系統(tǒng)baSiC-T 的設(shè)計(jì)是以模組化理念為基礎(chǔ)，并支援使用直徑多達(dá)150毫米的矽基底。 baSiC-T 營(yíng)運(yùn)成本低且自動(dòng)化程度高，這推動(dòng)碳化矽實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)型大規(guī)模生產(chǎn)。

成功用于工業(yè)生產(chǎn)

用于生產(chǎn)碳化矽晶體的系統(tǒng)已經(jīng)交付至歐洲和亞洲數(shù)家客戶并獲得了良好的認(rèn)可，這表示該系統(tǒng)性能卓越。

了解baSiC-T 的詳情，請(qǐng)參訪：http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-basic-t

PVA TePla 進(jìn)軍電力電子產(chǎn)業(yè)

除了baSiC-T 以外，PVA TePla 的其它一系列設(shè)備已經(jīng)用于電力電子產(chǎn)業(yè)。其中SiCube 是采用PVT 和HTCVD 方式對(duì)碳化矽晶體進(jìn)行量產(chǎn)并通過(guò)工業(yè)化測(cè)試的系統(tǒng)。該公司的Floatzone (FZ35) 和Czochralski (EKZ) 系統(tǒng)目前用于高純度矽單晶長(zhǎng)晶技術(shù)。而在專用的PVA TePla 真空爐中，可以對(duì)氮化鎵磊晶制程中使用的Susceptors實(shí)現(xiàn)回收利用。子公司Metrology Technologies的多種創(chuàng)新量測(cè)技術(shù)提供非破壞性品質(zhì)控制。

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Gert Fisahn 博士
投資者關(guān)系部
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電話：+49(0)641/68690-400
電郵：gert.fisahn@pvatepla.com
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