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公司基本資料信息
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高純度貴金屬鋨靶Os 磁控濺射鍍膜鋨靶 鋨靶Osmium (Os)鋨PVD鍍膜材料
產品名稱: | 鋨靶,鋨粒,鋨粉,鋨絲 |
牌號規格: | Os 1 |
用途 : | 主要用于電阻、繼電器、火花塞電極、電觸頭、熱電偶及印刷電路等 |
產 品 詳 情
貴金屬鋨及其合金在石油化學工業上主要作催化劑。
在電子電器工業上,作電阻、繼電器、火花塞電極、電觸頭、熱電偶及印刷電路等。
在玻璃工業上,金屬鋨不會使熔化的玻璃污染,可作為制造光學玻璃時的容器內襯。
鋨銥合金可以作鐘表和儀器中的軸承,制造筆尖和唱針。
傳統上,鋨用來制作鋼筆尖,現在應用于生產磁控濺射鍍膜靶材。
鋨濺射靶材Osmium (Os)
形狀 | 圓形、方形 |
尺寸 | Φ50~100mm |
厚度 | 3~15mm |
純度 | ≥3N5 |
注:其它尺寸可根據客戶要求制作。具體尺寸請聯系銷售。
鋨靶材(Osmium, Os)
一、高純貴金屬磁控濺射鍍膜鋨靶材(Osmium, Os),作為PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術中的關鍵材料,以其卓越的物理特性和廣泛的應用優勢,在多個高科技領域中占據重要地位。
我司深耕靶材領域十年,專注研發與生產,鑄就行業精品。所生產單材質靶材如下:
SINGLE ELEMENTS 單材質靶材、電子束蒸發顆粒 | |
Aluminum (Al) | Nickel (Ni) |
Antimony (Sb) | Niobium (Nb) |
Arsenic (As) | Osmium (Os) |
Barium (Ba) | Palladium (Pd) |
Beryllium (Be) | Platinum (Pt) |
Boron (B) | Rhenium (Re) |
Cadmium (Cd) | Rhodium (Rh) |
Carbon (C) | Rubidium (Rb) |
Chromium (Cr) | Ruthenium (Ru) |
Cobalt (Co) | Selenium (Se) |
Copper (Cu) | Silicon (Si) |
Gallium (Ga) | Silver (Ag) |
Germanium (Ge) | Tantalum (Ta) |
Gold (Au) | Tellurium (Te) |
Hafnium (Hf) | Tin (Sn) |
Indium (In) | Titanium (Ti) |
Iridium (Ir) | Tungsten (W) |
Iron (Fe) | Vanadium (V) |
Lead (Pb) | Yttrium (Y) |
Magnesium (Mg) | Zinc (Zn) |
Manganese (Mn) | Zirconium (Zr) |
Molybdenum (Mo) |
二、材料特性:
首先,從材料特性來看,高純鋨靶材的純度通常高達99.99%甚至更高,這意味著其幾乎不含有任何雜質,確保了鍍膜過程的純凈性和最終產品的優良性能。鋨的密度極高,達到22.59 g/cm3,這一特性使得鋨靶材在濺射過程中能夠穩定地釋放原子,形成致密且均勻的薄膜。此外,鋨的熔點也非常高,達到3045℃,這使得鋨靶材能夠在高溫環境下保持穩定的物理和化學性質,為高溫鍍膜工藝提供了可靠保障。
三、市場應用:
1、在PVD鍍膜技術中,高純鋨靶材的應用優勢尤為明顯。首先,其高純度特性確保了鍍膜過程中雜質引入的減少,從而提高了薄膜的純凈度和性能穩定性。這對于需要高精度和高可靠性的電子器件和光學元件來說至關重要。其次,鋨靶材的高密度和熔點使得其能夠形成致密且耐高溫的薄膜,這對于提高器件的耐熱性、耐腐蝕性和機械強度具有重要意義。
2、在行業應用中,高純鋨靶材展現出了廣泛的適用性。在電子電器工業中,鋨靶材被用于制作電阻、繼電器、火花塞電極、電觸頭、熱電偶及印刷電路等關鍵部件,其優異的導電性和穩定性確保了電子設備的正常運行。在石油化學工業中,鋨及其合金作為催化劑,能夠加速化學反應速率,提高生產效率。此外,在玻璃工業中,鋨靶材還可作為制造光學玻璃時的容器內襯,防止熔化的玻璃被污染。
3、更值得一提的是,隨著科技的不斷發展,高純鋨靶材在更多新興領域中也展現出了巨大的應用潛力。例如,在航空航天領域,鋨靶材可用于制作高溫部件的防護涂層,提高部件的耐熱性和耐腐蝕性;在醫療領域,鋨靶材可用于制作生物兼容的涂層材料,為醫療植入物和外科工具提供保護。
綜上所述,高純貴金屬磁控濺射鍍膜鋨靶材以其卓越的物理特性和廣泛的應用優勢,在多個高科技領域中發揮著重要作用。隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展,鋨靶材的未來發展前景將更加廣闊。